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          測試服務

        本測試實驗室提供專業的半導體特性評估,包括靜態特性、動態特性和熱特性。除提供建模測試數據和制作分立器件規格書外,我們還能完成一些特殊的測試項目,諸如TVS器件的S21、MOSFET器件的dv/dt和三極管的fT。鑒于各家客戶的需求難以統一,我們會在充分評估項目的難度和工時后給出正式報價。

        本測試實驗室可提供的服務項目參見表一、表二和表三。

        表一  二極管相關測試項目

        測試類別

        測試項目

         

        參數

        符號

        電性能參數

        靜態參數

        正向電壓

        VF

        1.        可提供高低溫(-40 200)測試結果

        2.        可提供測試曲線或波形

        3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

        4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

        反向漏電

        IR

        反向擊穿電壓

        VBR

        正向平均電流

        IFAV

        動態參數

        結電容

        CJ

        反向恢復時間相關參數

        Trr/Ta/Tb/S

        反向恢復峰值電流

        Irm

        反向恢復電荷

        Qrr

        電壓變化率

        dv/dt

        熱性能參數

        耗散功率

        PD

         

        結到環境熱阻

        Rthj-a

         

        結到殼熱阻

        Rthj-c

        根據封裝不同,可能為j-l

        其他特殊參數

        插入損耗

        S21

         

        箝位電壓

        Vc

        8/20μs10/1000μs

        動態電阻

        RDYN

        TLP測試

        單脈沖雪崩能量

        EAS

         

         

        表二  三極管相關測試項目

        測試類別

        測試項目

         

        參數

        符號

        電性能參數

        靜態參數

        各類擊穿電壓

        V(BR)CEO/V(BR)CBO/V(BR)EBO

        1.        可提供高低溫(-40 200)測試結果

        2.        可提供測試曲線或波形

        3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

        4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

        各類漏電

        ICEO/ICBO/IEBO

        靜態電流增益

        hFE

        基極-發射極導通電壓

        VBE(on)

        各種飽和壓降

        VBEsat/VCE(sat)

        動態參數

        各類電容

        Cobo/Cibo/Cre

        延遲時間

        Td

        上升時間

        Tr

        存儲時間

        Ts

        下降時間

        Tf

        熱性能參數

        耗散功率

        PD

         

        結到環境熱阻

        Rthj-a

         

        結到殼熱阻

        Rthj-c

         

        其他特殊參數

        增益帶寬積(特征頻率)

        fT

         

        插入功率增益

        S21e2

         

        噪聲系數

        NF

        高頻

         

        表三  MOSFET/IGBT相關測試項目

        測試類別

        測試項目

         

        參數

        符號

        電性能參數

        靜態參數

        各類擊穿電壓

        V(BR)DSS/V(BR)GSS

        1.        可提供高低溫(-40200℃)測試結果

        2.        可提供測試曲線或波形

        3.        DC類:Imax=400A、Vmax=3000V

        4.        AC類:Imax=1000A、Vmax=1200V

        5.        符號上IGBTVDMOS之間的替換關系:

        C(集電極)=D(漏極);E(發射極)=S(源極)

        各類漏電

        IDSS/IGSS

        柵極閾值電壓

        VGSth

        導通電阻

        RDS(on)

        飽和壓降

        VCE(sat)

        二極管正向壓降

        VSD/VF

        動態參數

        正向跨導

        Gfs

        柵極電阻

        Rg

        輸入、輸出、反向轉移電容

        Ciss/Coss/Crss

        有效輸出電容

        Coer/Cotr

        開關時間

        Td(on)/Tr/Td(off)/Tf

        導通損耗

        Eon/Eoff

        反向恢復時間相關參數

        Trr/Ta/Tb/S/Irrm/Qrr

        柵極電荷

        Qg/Qgs/Qgd

        短路電流、漏極脈沖電流

        Isc/IDM

        熱性能參數

        耗散功率

        PD

        結到環境熱阻

        Rthj-a

        結到殼熱阻

        Rthj-c

        其他特殊參數

        單脈沖雪崩能量

        EAS

        說明:TOSMD有夾具,其他封裝需要制作配套夾具(費用另計)。

         

        聯系方式:

        聯系人:周女士

        TEL0571-86714088-6192

        Emailzhoujun@silanic.com.cn

         

         
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